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STW69N65M5

STW69N65M5

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N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 58A TO247


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW69N65M5, 58 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STW69N65M5 系列 650 V 45 mOhm N 沟道 MDmesh™ V 功率 Mosfet - TO-247-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


力源芯城:
650V,58A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 58A TO-247


STW69N65M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.037 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 58A

输入电容Ciss 6420pF @100VVds

额定功率Max 330 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STW69N65M5引脚图与封装图
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STW69N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存