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STD35NF3LLT4

STD35NF3LLT4

数据手册.pdf

STD35NF 系列 N 沟道 30 V 0.0195 Ohm STripFET™ II 功率 Mosfet - TO-252-3

N-Channel 30V 35A Tc 50W Tc Surface Mount DPAK


立创商城:
N沟道 30V 35A


得捷:
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK


艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STD35NF3LLT4 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 50000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.


富昌:
STD35NF 系列 N 沟道 30 V 0.0195 Ohm STripFET™ II 功率 Mosfet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK


STD35NF3LLT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 35.0 A

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 800pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD35NF3LLT4引脚图与封装图
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在线购买STD35NF3LLT4
型号 制造商 描述 购买
STD35NF3LLT4 ST Microelectronics 意法半导体 STD35NF 系列 N 沟道 30 V 0.0195 Ohm STripFET™ II 功率 Mosfet - TO-252-3 搜索库存
替代型号STD35NF3LLT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD35NF3LLT4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 30V 35A 16mΩ

当前型号

STD35NF 系列 N 沟道 30 V 0.0195 Ohm STripFET™ II 功率 Mosfet - TO-252-3

当前型号

型号: STD29NF03LT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 29A

功能相似

N-CHANNEL 30V - 0.015Ω - 29A IPAK/DPAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFET

STD35NF3LLT4和STD29NF03LT4的区别