STP4NK50Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 3.00 A
额定功率 45 W
针脚数 3
漏源极电阻 2.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 310pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
STP4NK50Z引脚图与封装图 
STP4NK50Z引脚图
STP4NK50Z封装图
STP4NK50Z封装焊盘图
在线购买STP4NK50Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP4NK50Z | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS STP4NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.7 ohm, 10 V, 3.75 V | 搜索库存 |
替代型号STP4NK50Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STP4NK50Z 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 500V 3A 2.7Ω | 当前型号 | STMICROELECTRONICS STP4NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.7 ohm, 10 V, 3.75 V | 当前型号 |
| 型号： FQP4N50 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 500V 3.4A 2.7ohms | 功能相似 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | STP4NK50Z和FQP4N50的区别 |