STD10P10F6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 180 mΩ
耗散功率 40 W
阈值电压 2 V
输入电容 864 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 4.8 ns
输入电容Ciss 864pF @80VVds
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
STD10P10F6引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD10P10F6 | ST Microelectronics 意法半导体 | -100V,-10A,180mΩ,P沟道功率MOSFET | 搜索库存 |