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STB4NK60ZT4

STB4NK60ZT4

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STMICROELECTRONICS  STB4NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics

### MOSFET ，STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB4NK60ZT4, 4 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK


立创商城:
N沟道 600V, 1.7Ω 4A功率MOSFETs


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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 2 A, 1.76 ohm, TO-263, 表面安装


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Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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STB4NK 系列 N 沟道 600 V 2 Ohm SuperMESH 功率 Mosfet - D2PAK


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Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB4NK60ZT4  MOSFET Transistor, N Channel, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK


STB4NK60ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 4.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 1.76 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

上升时间 9.5 ns

输入电容Ciss 510pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 16.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STB4NK60ZT4引脚图与封装图
STB4NK60ZT4引脚图

STB4NK60ZT4引脚图

STB4NK60ZT4封装图

STB4NK60ZT4封装图

STB4NK60ZT4封装焊盘图

STB4NK60ZT4封装焊盘图

在线购买STB4NK60ZT4
型号 制造商 描述 购买
STB4NK60ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STB4NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STB4NK60ZT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STB4NK60ZT4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 600V 2A 2Ω

当前型号

STMICROELECTRONICS  STB4NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号： STB9NK60ZT4

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 600V 7A 950mohms

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STB4NK60ZT4和STB9NK60ZT4的区别

型号： STB6NK60ZT4

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 600V 6A 1.2ohms

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STB4NK60ZT4和STB6NK60ZT4的区别

型号： STB14NK60ZT4

品牌： 意法半导体

封装： D2PAK N-Channel 600V 13.5A 500mΩ

类似代替

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