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STW28N60DM2

STW28N60DM2

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW28N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。

高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性

符合 AEC-Q101

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得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247


欧时:
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立创商城:
N沟道 600V 21A


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MOSFET


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Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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N-channel MDmesh >350 V to 700 V


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW28N60DM2  MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-247


STW28N60DM2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.13 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 170 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 7.3 ns

输入电容Ciss 1500pF @100VVds

下降时间 9.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

STW28N60DM2引脚图与封装图
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STW28N60DM2 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW28N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新 搜索库存