STFW38N65M5中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 57 W
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 3000pF @100VVds
额定功率Max 57 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 57W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.7 mm
宽度 5.7 mm
高度 26.7 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
STFW38N65M5引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STFW38N65M5 | ST Microelectronics 意法半导体 | N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | 搜索库存 |