STB15NM65N中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 150W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 15.5A
输入电容Ciss 1900pF @50VVds
额定功率Max 150 W
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB15NM65N引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB15NM65N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET | 搜索库存 |