STP80NF70中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 9.8 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 68 V
漏源击穿电压 68 V
连续漏极电流Ids 98A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 2550pF @25VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 75 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STP80NF70引脚图与封装图
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在线购买STP80NF70
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP80NF70 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道68 V， 0.0082 I© ， 98 ， TO- 220 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STripFET⢠II Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STP80NF70
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STP80NF70 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220-3 N-CH 68V 98A | 当前型号 | N沟道68 V， 0.0082 I© ， 98 ， TO- 220 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STripFET⢠II Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IXTP98N075T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220AB N-CH 75V 98A | 功能相似 | TO-220AB N-CH 75V 98A | STP80NF70和IXTP98N075T的区别 |
| 型号： IXTA98N075T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 N-CH 75V 98A | 功能相似 | D2PAK N-CH 75V 98A | STP80NF70和IXTA98N075T的区别 |