STP105N3LL中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 4.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 140 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 150A
上升时间 91 ns
输入电容Ciss 3100pF @25VVds
下降时间 23.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
STP105N3LL引脚图与封装图
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| STP105N3LL | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道 30V 80A | 搜索库存 |