
STP45N40DM2AG中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 250 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 400 V
连续漏极电流Ids 38A
上升时间 6.7 ns
输入电容Ciss 2600pF @100VVds
下降时间 9.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 15.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
STP45N40DM2AG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STP45N40DM2AG
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
STP45N40DM2AG | ST Microelectronics 意法半导体 | 车规级 N沟道 400V 38A | 搜索库存 |