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STP8NK100Z

STP8NK100Z

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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics

### MOSFET ，STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP8NK100Z, 6.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
N沟道 1kV 6.5A


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 kV, 4.3 A, 1.85 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP8NK 系列 N-沟道 1 kV 1.85 Ohm SuperMESH™ MOSFET - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 160W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP8NK100Z  Power MOSFET, N Channel, 4.3 A, 1 kV, 1.85 ohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220


STP8NK100Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 6.50 A

针脚数 3

漏源极电阻 1.85 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 2.18 nF

栅电荷 73.0 nC

漏源极电压Vds 1000 V

漏源击穿电压 1.00 kV

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 6.50 A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 2180pF @25VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STP8NK100Z引脚图与封装图
STP8NK100Z引脚图

STP8NK100Z引脚图

STP8NK100Z封装图

STP8NK100Z封装图

STP8NK100Z封装焊盘图

STP8NK100Z封装焊盘图

在线购买STP8NK100Z
型号 制造商 描述 购买
STP8NK100Z ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STP8NK100Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STP8NK100Z

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 1kV 6.5A 1.6Ω 2.18nF

当前型号

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STP60NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V

STP8NK100Z和STP60NF06的区别

型号： STP5NK100Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 1kV 3.5A 3.7Ω

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V

STP8NK100Z和STP5NK100Z的区别

型号： STP80NF10

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ

类似代替

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STP8NK100Z和STP80NF10的区别