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STD100N10F7

STD100N10F7

数据手册.pdf

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N CH 100V 80A DPAK


立创商城:
N沟道 100V 80A


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STD100N10F7 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 120000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This device is made with stripfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-252-3


DeviceMart:
MOSFET N CH 100V 80A DPAK


Win Source:
MOSFET N CH 100V 80A DPAK


STD100N10F7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0068 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 120 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 4369 pF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 4369pF @50VVds

额定功率Max 120 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 120W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 医用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD100N10F7引脚图与封装图
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