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STH315N10F7-6

STH315N10F7-6

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STH315N10F7-6  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V

表面贴装型 N 通道 100 V 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK-6


得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6


立创商城:
N沟道 100V 180A


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STH315N10F7-6  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STH315N10F7-6 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 315000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin H2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin6+Tab H2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 180A 2.3mOhm H2PAK-6 **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6


STH315N10F7-6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 7

漏源极电阻 0.0021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 315 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 108 ns

输入电容Ciss 12800pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 315W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STH315N10F7-6引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STH315N10F7-6 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STH315N10F7-6  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V 搜索库存