锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STW35N60DM2

STW35N60DM2

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。

高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性

符合 AEC-Q101

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 28A TO247


欧时:
### N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 600V 28A


e络盟:
晶体管, MOSFET, Mdmesh DM2, N沟道, 28 A, 600 V, 0.094 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 210W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW35N60DM2  MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO-247


儒卓力:
**N-CH 600V 28A 94mOhm TO247 **


STW35N60DM2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.094 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 210 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 2400pF @100VVds

下降时间 10.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 210W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STW35N60DM2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STW35N60DM2
型号 制造商 描述 购买
STW35N60DM2 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。 高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存