STFI5N95K3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 3.5 Ω
极性 N-CH
耗散功率 25 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 950 V
漏源击穿电压 950 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 460pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STFI5N95K3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STFI5N95K3 | ST Microelectronics 意法半导体 | 950V,4A,N沟道MOSFET | 搜索库存 |