锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STP80N10F7

STP80N10F7

数据手册.pdf

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220


欧时:
### N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


儒卓力:
**N-CH 100V 80A 10mOhm TO220-3 **


力源芯城:
100V,80A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220


STP80N10F7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0085 Ω

耗散功率 110 W

阈值电压 3.5 V

输入电容 3100 pF

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 3100pF @50VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 15.75 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 医用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STP80N10F7引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STP80N10F7
型号 制造商 描述 购买
STP80N10F7 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存