STH150N10F7-2

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

得捷:
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2

欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

贸泽:
MOSFET N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin H2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R

STH150N10F7-2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 250 W

输入电容 8115 pF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 57 ns

输入电容Ciss 8115pF @50VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 33 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 10.57 mm

高度 4.8 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STH150N10F7-2引脚图与封装图

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