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STFW6N120K3

STFW6N120K3

数据手册.pdf

N沟道1200 V , 1.95欧姆(典型值) , 6一SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 3PF , TO- 220和TO- 247封装 N-channel 1200 V, 1.95 Ohm typ., 6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-3PF, TO-220 and TO-247 packages

N-Channel 1200V 6A Tc 63W Tc Through Hole ISOWATT-218FX


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2 kV, 6 A, 1.95 ohm, TO-3PF, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


富昌:
STFW6N120K3 系列 1200 V 2.4 Ohm N 沟道 SuperMESH3TM 功率 MOSFET - TO-3PF


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


力源芯城:
1200V,1.95Ω,6A,N沟道功率MOSFET


STFW6N120K3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.95 Ω

极性 N-CH

耗散功率 63 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 6A

输入电容Ciss 1050pF @100VVds

额定功率Max 63 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STFW6N120K3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STFW6N120K3 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道1200 V , 1.95欧姆(典型值) , 6一SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 3PF , TO- 220和TO- 247封装 N-channel 1200 V, 1.95 Ohm typ., 6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-3PF, TO-220 and TO-247 packages 搜索库存