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STP24N60DM2

STP24N60DM2

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STP24N60DM2 系列 600 V 0.2 Ohm 法兰安装 N 沟道 功率 Mosfet - TO-220

Create an effective common drain amplifier using this power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 150000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with fdmesh ii plus technology.

STP24N60DM2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.175 Ω

极性 N-CH

耗散功率 150 W

阈值电压 4 V

输入电容 1055 pF

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 8.7 ns

输入电容Ciss 1055pF @100VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

STP24N60DM2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STP24N60DM2 ST Microelectronics 意法半导体 STP24N60DM2 系列 600 V 0.2 Ohm 法兰安装 N 沟道 功率 Mosfet - TO-220 搜索库存
替代型号STP24N60DM2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STP24N60DM2

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220-3 N-CH 600V 18A

当前型号

STP24N60DM2 系列 600 V 0.2 Ohm 法兰安装 N 沟道 功率 Mosfet - TO-220

当前型号

型号: STP21NM60ND

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel

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