STW12N120K5中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 250 W
输入电容 1370 pF
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1370pF @100VVds
下降时间 18.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.75 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STW12N120K5引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STW12N120K5 | ST Microelectronics 意法半导体 | 1200V,12A,690mΩ,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |