STL25N60M2-EP中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1090pF @100VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
STL25N60M2-EP引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STL25N60M2-EP | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 4Pin Power Flat EP T/R | 搜索库存 |