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STP26NM60ND

STP26NM60ND

数据手册.pdf

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220


欧时:
### N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin TO-220 T/R


富昌:
单 N沟道 650 V 0.175 Ω 190 W 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


STP26NM60ND中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 145 mΩ

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 14.5 ns

输入电容Ciss 1817pF @100VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 27.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STP26NM60ND引脚图与封装图
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