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STB12NM50N

STB12NM50N

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STB12NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V

N-Channel 500V 11A Tc 100W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STB12NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The STB12NM50N power MOSFET from STMicroelectronics provides the solution. Its maximum power dissipation is 100000 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This device is made with mdmesh ii technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK


STB12NM50N中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 11.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 380 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 6.70 A, 11.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 940pF @50VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB12NM50N引脚图与封装图
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在线购买STB12NM50N
型号 制造商 描述 购买
STB12NM50N ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STB12NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STB12NM50N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STB12NM50N

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 500V 6.7A 380mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STB12NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： SPB12N50C3

品牌： 英飞凌

封装： TO263-3 N-Channel 560V 11.6A 1.2nF

功能相似

INFINEON  SPB12N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

STB12NM50N和SPB12N50C3的区别

型号： STB12NM50FD

品牌： 意法半导体

封装：

功能相似

N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with fast diode

STB12NM50N和STB12NM50FD的区别

型号： STB12NM50-1

品牌： 意法半导体

封装： I2PAK N-CH 500V 12A

功能相似

N沟道500V - 0.3W - 12A TO- 220 / TO- 220FP / I PAK的MDmesh ]功率MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET

STB12NM50N和STB12NM50-1的区别