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STF28N60DM2

STF28N60DM2

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STF28N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新

N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。

高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性

符合 AEC-Q101


欧时:
STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 Si N沟道 MOSFET STF28N60DM2, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装


立创商城:
N沟道 600V 21A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP


e络盟:
晶体管, MOSFET, Mdmesh DM2, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STF28N60DM2  MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-220FP


STF28N60DM2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.13 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 7.3 ns

输入电容Ciss 1500pF @100VVds

下降时间 9.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

STF28N60DM2引脚图与封装图
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在线购买STF28N60DM2
型号 制造商 描述 购买
STF28N60DM2 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STF28N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新 搜索库存
替代型号STF28N60DM2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STF28N60DM2

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220FP-3 N-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STF28N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新

当前型号

型号： STF25NM60ND

品牌： 意法半导体

封装： TO-220FP N-Channel 600V 21A

类似代替

STMICROELECTRONICS  STF25NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V

STF28N60DM2和STF25NM60ND的区别

型号： STF23NM60ND

品牌： 意法半导体

封装： TO-220FP N-Channel 600V 19.5A

类似代替

STMICROELECTRONICS  STF23NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

STF28N60DM2和STF23NM60ND的区别