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STP5NK60Z

STP5NK60Z

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STMICROELECTRONICS  STP5NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics

### MOSFET ，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB


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N沟道 600V 5A


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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP5NK60Z, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 5 A, 1.2 ohm, TO-220, 通孔


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# STMICROELECTRONICS  STP5NK60Z  MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220


STP5NK60Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 5.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 690pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STP5NK60Z引脚图与封装图
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STP5NK60Z ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STP5NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STP5NK60Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STP5NK60Z

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 600V 5A 1.6Ω

当前型号

STMICROELECTRONICS  STP5NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号： STP55NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

类似代替

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STP5NK60Z和STP55NF06的区别

型号： STP60NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V

STP5NK60Z和STP60NF06的区别

型号： STP5NK100Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 1kV 3.5A 3.7Ω

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V

STP5NK60Z和STP5NK100Z的区别