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STS9NF3LL

N沟道30V - 0.016欧姆 - 9A型SO-8低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.016 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

N-Channel 30V 9A Tc 2.5W Tc Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO


贸泽:
MOSFET N-Ch 30 Volt 9 Amp


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of STMicroelectronics&s; STS9NF3LL power MOSFET. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SO N T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC


STS9NF3LL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 9.00 A

漏源极电阻 19.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 800pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STS9NF3LL引脚图与封装图
STS9NF3LL引脚图

STS9NF3LL引脚图

STS9NF3LL封装图

STS9NF3LL封装图

STS9NF3LL封装焊盘图

STS9NF3LL封装焊盘图

在线购买STS9NF3LL
型号 制造商 描述 购买
STS9NF3LL ST Microelectronics 意法半导体 N沟道30V - 0.016欧姆 - 9A型SO-8低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.016 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET 搜索库存
替代型号STS9NF3LL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STS9NF3LL

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SOIC N-Channel 30V 9A 19mΩ

当前型号

N沟道30V - 0.016欧姆 - 9A型SO-8低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.016 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

当前型号

型号: FDS8882

品牌: 安森美

封装: SOIC

功能相似

晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 30 V, 0.0132 ohm, 10 V, 1.7 V

STS9NF3LL和FDS8882的区别