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STP34NM60N

STP34NM60N

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STP34NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3


立创商城:
STP34NM60N


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-沟道 600 V 105 mOhm 法兰安装 MDmesh™ II 功率 Mosfet - TO-220


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Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP34NM60N  MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
600V,29A,N沟道MOSFET


STP34NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.092 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 210 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 34 ns

输入电容Ciss 2722pF @100VVds

额定功率Max 210 W

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STP34NM60N引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STP34NM60N ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STP34NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STP34NM60N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STP34NM60N

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STP34NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPP60R099CPA

品牌: 英飞凌

封装: TO-220-3 N-Channel 650V 31A

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