STFI6N80K5中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 25 W
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 7.5 ns
输入电容Ciss 270pF @100VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
STFI6N80K5引脚图与封装图
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在线购买STFI6N80K5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STFI6N80K5 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道 800V 4.5A | 搜索库存 |
替代型号STFI6N80K5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STFI6N80K5 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-262-3 N-CH 800V 4.5A | 当前型号 | N沟道 800V 4.5A | 当前型号 |
| 型号： STF6N80K5 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 | 完全替代 | N-Ch 800V 4.5A 1.6Ω SuperMESH 5 Power Mosfet - TO-220FP | STFI6N80K5和STF6N80K5的区别 |