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STB33N60M2

STB33N60M2

数据手册.pdf

N 沟道 600 V 26 A 0.125 Ohm MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK

N-Channel 600V 26A Tc 190W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STB33N60M2 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 190000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mdmesh ii technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin D2PAK T/R


富昌:
N-Channel 600 V 26 A 0.125 Ohm Surface Mount MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STB33N60M2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 125 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 190 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 9.6 ns

输入电容Ciss 1781pF @100VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STB33N60M2引脚图与封装图
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STB33N60M2 ST Microelectronics 意法半导体 N 沟道 600 V 26 A 0.125 Ohm MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK 搜索库存