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STD13NM60ND

STD13NM60ND

数据手册.pdf

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STD13NM60ND, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin DPAK T/R


富昌:
STD13NM60ND 系列 N 沟道 600 V 0.38 Ohm 表面贴装 FDmesh II 功率 MOSFET - DPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK


STD13NM60ND中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.32 Ω

极性 N-CH

耗散功率 109 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 845pF @50VVds

下降时间 15.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 109W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STD13NM60ND引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STD13NM60ND ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STD13NM60ND
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD13NM60ND

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252-3 N-CH 600V 11A

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