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STW43NM60ND

STW43NM60ND

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW43NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3


立创商城:
N沟道 600V 35A


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW43NM60ND, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 35 A, 0.075 ohm, TO-247, 通孔


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STW43NM60ND power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 255000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with fdmesh technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
N-Channel 600 V 88 mΩ Flange Mount FDmesh Power MOSFET - TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW43NM60ND  MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V


力源芯城:
600V,0.075Ω,35A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247


STW43NM60ND中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.075 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 255 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 4300pF @50VVds

额定功率Max 255 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 255W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

STW43NM60ND引脚图与封装图
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在线购买STW43NM60ND
型号 制造商 描述 购买
STW43NM60ND ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW43NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STW43NM60ND
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STW43NM60ND

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 600V 35A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW43NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: STW47NM60ND

品牌: 意法半导体

封装: TO-247-3 N-CH 600V 35A

类似代替

N沟道600 V , 0.075 I© (典型值) ,十五FDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET (具有快速二极管)的TO- 247封装 N-channel 600 V, 0.075 Ω typ., 35 A FDmesh™ II Power MOSFET with fast diode in a TO-247 package

STW43NM60ND和STW47NM60ND的区别

型号: STW43N60DM2

品牌: 意法半导体

封装: TO-247-3 N-Channel 600V 34A

类似代替

STMICROELECTRONICS  STW43N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 新

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型号: SPW35N60C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-247 N-Channel 650V 34.6A 4.5nF

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