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STW11NM80

STW11NM80

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW11NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics

### MOSFET ，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW11NM80, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装


立创商城:
N沟道 800V 11A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STW11NM80 系列 N 沟道 800 V 0.4 Ohm MDmesh 功率 Mosfet - TO-247


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 150W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**MOSFET 800V 400mOhm 11A TO247 **


力源芯城:
800V,11A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247


STW11NM80中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 11.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1630pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, 工业, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

STW11NM80引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STW11NM80 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW11NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STW11NM80
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STW11NM80

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 800V 5.5A 400mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW11NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号： STW20NK50Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ

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STW11NM80和STW20NK50Z的区别

型号： STP5NK80Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 800V 4.3A 2.4Ω

类似代替

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STW11NM80和STP5NK80Z的区别

型号： STW12NK90Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 900V 11A 880mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V

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