STI32N65M5中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 119 mΩ
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 3320pF @100VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STI32N65M5引脚图与封装图
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在线购买STI32N65M5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STI32N65M5 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道650 V， 0.095 I© ， 24 A， MDmeshâ ?? ¢在D²PAK ， I²PAK V功率MOSFET ， TO- 220FP ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 | 搜索库存 |
替代型号STI32N65M5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STI32N65M5 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-262-3 | 当前型号 | N沟道650 V， 0.095 I© ， 24 A， MDmeshâ ?? ¢在D²PAK ， I²PAK V功率MOSFET ， TO- 220FP ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 | 当前型号 |
| 型号： STP34N65M5 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-CH 650V 28A | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STI32N65M5和STP34N65M5的区别 |
| 型号： STP32N65M5 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 650V 24A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP32N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.095 ohm, 10 V, 4 V | STI32N65M5和STP32N65M5的区别 |