STV200N55F3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.8 Ω
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 6800pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerSO-10
外形尺寸
长度 7.6 mm
宽度 9.5 mm
高度 3.65 mm
封装 PowerSO-10
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STV200N55F3引脚图与封装图
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在线购买STV200N55F3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STV200N55F3 | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans MOSFET N-CH 55V 200A 12Pin10+2Tab PowerSO T/R | 搜索库存 |
替代型号STV200N55F3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STV200N55F3 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC-10 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 55V 200A 12Pin10+2Tab PowerSO T/R | 当前型号 |
| 型号： STV250N55F3 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO-10 N-Channel | 类似代替 | N沟道55 V ， 1.5毫欧， 250 A， PowerSO - 10的STripFET ™功率MOSFET N-channel 55 V, 1.5 mΩ, 250 A, PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET | STV200N55F3和STV250N55F3的区别 |