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STD9N65M2

STMICROELECTRONICS  STD9N65M2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 0.79 ohm, 10 V, 3 V

The is a MDmesh M2 N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and extremely low gate charge. This Power MOSFET is developed using the MDmesh™ M2 technology which has strip layout associated to an improved vertical structure, the device exhibits both low ON-resistance and optimized switching characteristics. Therefore it is suitable for the most demanding high efficiency converters.

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Excellent output capacitance COSS profile
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100% Avalanche tested
STD9N65M2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.79 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 6.6 ns

输入电容Ciss 315pF @100VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD9N65M2引脚图与封装图
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STD9N65M2 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD9N65M2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 0.79 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存