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STD11N65M2

STD11N65M2

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STD11N65M2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V

N-Channel 650V 7A Tc 85W Tc Surface Mount DPAK


欧时:
STMicroelectronics, STD11N65M2


得捷:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK


立创商城:
STD11N65M2


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of STMicroelectronics&s; STD11N65M2 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 85000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This device utilizes mdmesh ii plus technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD11N65M2  Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK


STD11N65M2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 85 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 410pF @100VVds

额定功率Max 85 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 85W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD11N65M2引脚图与封装图
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STD11N65M2 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD11N65M2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存