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STB14NM65N

STB14NM65N

数据手册.pdf

N沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

表面贴装型 N 通道 650 V 12A(Tc) 125W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK


艾睿:
This STB14NM65N power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 125000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mdmesh technology.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STB14NM65N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 1300pF @50VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STB14NM65N引脚图与封装图
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在线购买STB14NM65N
型号 制造商 描述 购买
STB14NM65N ST Microelectronics 意法半导体 N沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 搜索库存
替代型号STB14NM65N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STB14NM65N

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: D2PAK N-CH 650V 12A

当前型号

N沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

当前型号

型号: STW11NM65N

品牌: 意法半导体

封装:

类似代替

TO-247 N-CH 650V 12A

STB14NM65N和STW11NM65N的区别

型号: STB11NM65N

品牌: 意法半导体

封装:

类似代替

D2PAK N-CH 650V 12A

STB14NM65N和STB11NM65N的区别

型号: IPI65R380C6

品牌: 英飞凌

封装: I2PAK-3 N-CH 700V 10.6A

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