SGP30N60XKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL

贸泽:
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 3-Pin3+Tab TO-220AB

SGP30N60XKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 30.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

上升时间 40.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

SGP30N60XKSA1引脚图与封装图

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