SKB04N60ATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 9.4A 3Pin2+Tab TO-263

IGBT NPT 600V 9.4A 50W Surface Mount PG-TO263-3

得捷:
IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL

贸泽:
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9.4A 3-Pin2+Tab D2PAK

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9.4A 3-Pin2+Tab TO-263

Win Source:
IGBT 600V 9.4A 50W TO263-3 / IGBT NPT 600 V 9.4 A 50 W Surface Mount PG-TO263-3-2

SKB04N60ATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 50000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 180 ns

额定功率Max 50 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

SKB04N60ATMA1引脚图与封装图

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