SPI08N50C3HKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPI08N50C3HKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 560 V
额定电流 7.60 A
极性 N-Channel
耗散功率 83W Tc
输入电容 750 pF
栅电荷 32.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 7.60 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 750pF @25VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPI08N50C3HKSA1引脚图与封装图
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在线购买SPI08N50C3HKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPI08N50C3HKSA1 | Infineon 英飞凌 | TO-262 N-CH 560V 7.6A | 搜索库存 |
替代型号SPI08N50C3HKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPI08N50C3HKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262 N-Channel 560V 7.6A 750pF | 当前型号 | TO-262 N-CH 560V 7.6A | 当前型号 |
| 型号： SPI08N50C3XKSA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-262-3 N-CH 560V 7.6A | 类似代替 | Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | SPI08N50C3HKSA1和SPI08N50C3XKSA1的区别 |