SPB100N03S203T

Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 30V 100A

表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

SPB100N03S203T中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 A

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

输入电容 7.02 nF

栅电荷 150 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100 A

上升时间 40.0 ns

输入电容Ciss 7020pF @25VVds

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPB100N03S203T引脚图与封装图

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