SPP11N60C3XKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPP11N60C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 650 V
额定电流 11.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 380 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SPP11N60C3XKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SPP11N60C3XKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPP11N60C3XKSA1 | Infineon 英飞凌 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 搜索库存 |