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SPA11N60C3XKSA1

SPA11N60C3XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

PG-TO220-3-31 整包

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N60C3XKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3


SPA11N60C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 33 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

额定功率Max 33 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 33W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3-31

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 9.83 mm

封装 TO-220-3-31

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Man, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPA11N60C3XKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPA11N60C3XKSA1 Infineon 英飞凌 PG-TO220-3-31 整包 搜索库存
替代型号SPA11N60C3XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPA11N60C3XKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 600V 11A

当前型号

PG-TO220-3-31 整包

当前型号

型号： FCPF400N60

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220F N-Channel 600V 10A

功能相似

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

SPA11N60C3XKSA1和FCPF400N60的区别

型号： FCPF380N60

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220F N-Channel 600V 10.2A

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF380N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 2.5 V

SPA11N60C3XKSA1和FCPF380N60的区别

型号： SIHF12N60E-E3

品牌： 威世

封装： TO-220FP N-Channel

功能相似

VISHAY  SIHF12N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V

SPA11N60C3XKSA1和SIHF12N60E-E3的区别