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SPP20N60CFDXKSA1

SPP20N60CFDXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-220AB N-CH 650V 20.7A

N-Channel 650V 20.7A Tc 208W Tc Through Hole PG-TO220-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220


SPP20N60CFDXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.7 A

通道数 1

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 4 V

输入电容 2.40 nF

栅电荷 124 nC

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 20.7 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 6.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPP20N60CFDXKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPP20N60CFDXKSA1 Infineon 英飞凌 TO-220AB N-CH 650V 20.7A 搜索库存