SQJ465EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.07 Ω
耗散功率 45 W
阈值电压 2.5 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 13 ns
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerPAKSO-8L-4
外形尺寸
封装 PowerPAKSO-8L-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SQJ465EP-T1_GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SQJ465EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 60V 8A 5Pin4+Tab PowerPAK SO T/R | 搜索库存 |