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SST26WF080B-104I/MF

SST26WF080B-104I/MF

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 主动器件

MICROCHIP  SST26WF080B-104I/MF  闪存, CMOS, 8 MB, 104 MHz, SPI, SDI, SQI, WDFN, 8 引脚

SST26WF040B/080B/016B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 闪存

SST26WFxxxB 系列产品是串行四路输入/输出 SQI 闪存设备,提供 4、8 和 16 位型号。 这些设备支持与串行外围接口 SPI 协议的全命令集兼容型,并且实现最小延迟 Execute-in-Place XIP 功能,SRAM 上无需代码阴影。 SST26WFxxxB 设备具有低功耗,使其适用于便携式蓄电池供电的应用。

### 特点

工作电压范围 1.6 至 1.95V

最大时钟频率 104 MHz

串行接口体系结构

低功耗:有源读取电流:15 mA(104 MHz 时典型),待机电流:10 μA(典型)

脉冲串模式:连续线性脉冲串,8/16/32/64 字节线性脉冲串,带坏绕。

页面编程:每页 256 字节,采用 x1 或 x4 模式

快速擦除时间:扇形/块擦除 18 ms(典型)、25 ms(最大);芯片擦除 35 ms(典型)、50 ms(最大)

灵活的擦除能力

End-of-Write 检测

Write-Suspend

软件保护

软件重置 RST 模式

SFDP(串行闪存可发现参数)

SST26WF080B-104I/MF中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 1.65V min

工作电压 1.65V ~ 1.95V

针脚数 8

时钟频率 104 MHz

内存容量 8000000 B

存取时间Max 8 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 1.95V

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WDFN-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 0.72 mm

封装 WDFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 3A991

HTS代码 8542320051

SST26WF080B-104I/MF引脚图与封装图
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在线购买SST26WF080B-104I/MF
型号 制造商 描述 购买
SST26WF080B-104I/MF Microchip 微芯 MICROCHIP  SST26WF080B-104I/MF  闪存, CMOS, 8 MB, 104 MHz, SPI, SDI, SQI, WDFN, 8 引脚 搜索库存
替代型号SST26WF080B-104I/MF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SST26WF080B-104I/MF

品牌: Microchip 微芯

封装: WDFN 8000000B 1.65V 8Pin

当前型号

MICROCHIP  SST26WF080B-104I/MF  闪存, CMOS, 8 MB, 104 MHz, SPI, SDI, SQI, WDFN, 8 引脚

当前型号

型号: SST26WF080BT-104I/MF

品牌: 微芯

封装: 8-WDFN

完全替代

NOR Flash Serial-SPI 1.8V 8Mbit 8M/4M/2M X 1Bit/2Bit/4Bit 8ns 8Pin WDFN T/R

SST26WF080B-104I/MF和SST26WF080BT-104I/MF的区别