电源电压DC 3.00V min
工作电压 3V ~ 3.6V
位数 8
存取时间 45 ns
内存容量 500000 B
存取时间Max 45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 PLCC-32
高度 2.84 mm
封装 PLCC-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
SST39LF040-45-4C-NHE引脚图
SST39LF040-45-4C-NHE封装图
SST39LF040-45-4C-NHE封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SST39LF040-45-4C-NHE | Microchip 微芯 | NOR闪存 512K X 8 45ns | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号: SST39LF040-45-4C-NHE 品牌: Microchip 微芯 封装: 32-LCC 500000B 3V 32Pin | 当前型号 | NOR闪存 512K X 8 45ns | 当前型号 |
| 型号: SST39LF040-55-4C-NHE 品牌: 微芯 封装: 32-LCC | 类似代替 | SST39LF010/020/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39LF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点3.0-3.6V 读取和写入操作 寿命 - 100,000 次循环(典型) 低功耗 - 有源电流 5 mA,待机电流 1 μA(14 MHz 时的典型值) 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间:70 ms(典型) 字节编程时间 - 14 μs(典型) 芯片重写时间 - SST39LF010 2 秒,SST39SF020 4 秒,SST39SF040 8 秒(典型值) 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 CMOS 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存,Microchip | SST39LF040-45-4C-NHE和SST39LF040-55-4C-NHE的区别 |
| 型号: SST39LF040-45-4C-WHE 品牌: 微芯 封装: TSOP 500000B 3V 32Pin | 类似代替 | MICROCHIP SST39LF040-45-4C-WHE 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 并行, TSOP, 32 引脚 | SST39LF040-45-4C-NHE和SST39LF040-45-4C-WHE的区别 |
