SM8S36A-E3/2D中文资料参数规格
技术参数
工作电压 36 V
耗散功率 6.6 kW
钳位电压 58.1 V
最大反向击穿电压 44.2 V
脉冲峰值功率 6.6 kW
最小反向击穿电压 40 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-218AB
外形尺寸
封装 DO-218AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SM8S36A-E3/2D引脚图与封装图
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在线购买SM8S36A-E3/2D
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SM8S36A-E3/2D | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SM8S36A-E3/2D TVS Diode, SM8S Series, Unidirectional, 36V, 58.1V, DO-218AB, 2Pins | 搜索库存 |
替代型号SM8S36A-E3/2D
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SM8S36A-E3/2D 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-218AB | 当前型号 | VISHAY SM8S36A-E3/2D TVS Diode, SM8S Series, Unidirectional, 36V, 58.1V, DO-218AB, 2Pins | 当前型号 | |
型号: SM8S36AHE3/2D 品牌: 威世 封装: DO-218AB | 类似代替 | VISHAY SM8S36AHE3/2D TVS二极管, AEC-Q115, AEC-Q101 SM8S系列, 单向, 36 V, 58.1 V, DO-218AB, 2 引脚 | SM8S36A-E3/2D和SM8S36AHE3/2D的区别 |