SI4062DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 7.8 W
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 3175pF @30VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
高度 1.55 mm
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4062DY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4062DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 32.1 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V | 搜索库存 |